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电路布局方法及布局电路的制作方法

专利证确定

:电路布局方法及布局电路的制作方法

技术担任外场员

本设法做到触及电路布局。,异乎寻常地电路金属线缝合术方法与结成衔接单元

(结成) tie 细胞)的布局电^各。

安插技术

设计技师(以下称”技师”)在布局区域设置并金属线缝合术(route)普遍的单 元后,通常,在布局区域也预备待命命令元。,用于死亡研制 (掌子) 添加更多效能或在辞职后更改设计电路。无论如何,这些待命命令元早期并 不衔接到无论哪些普遍的单元,去,得采取并列地高位电路或并列地低位电路。 电是相互衔接的。,使无效漂 )。

图1显示了。布局区域100 该比例缺席特别的普遍的单元。。待命命令元A衔接到高衔接电路101,待命命令 C元件衔接到高链路电路103,因此待命命令元B与低衔接电路102贯。去, 开价给待命命令元A及C的压力为高电压力力Vdd,而开价给待命命令元B的压力为低 压力Vss。另外,布局区域100的等等的人或物比例由普遍的填满单元填满(标准) filler 细胞) 填满。

些许经济情况下,运用工程更改命令 Change Order, 自然环境),在芯 拍摄电影冲洗吃光后,技师经过用待命命令元代表普遍的单元的采用一任一某一,非常的变老 死亡的些许效能。图2显示在收执工程更改命令在前方,集成电路的布局区域 200零件的草图。普遍的单元D与E耦合于其它的普遍的单元(未显示于图 中),采用普遍的单元D与E分开对应于待命命令元D,与E,。待命命令元D,与E,分开 耦合到高链路电路D和低链路电路E,使无效漂。另外,布局区域200 余比例由普遍的填满单元(如电容单元)来填满。

芯拍摄电影冲洗吃光后,技师能够会撞见普遍的电池D和E的任务在表面之下期待。 值,去必要用待命命令元D,与E,代表普遍的住在牢房或小室中D和E。图3显示在收执到工 程变令后,集成电路的布局区域200零件的草图。现已变为普遍的单元的待命命令元D,与E,,有指导意义的事物以耦合到其他的普遍的单元(图3中未显示), 这些普遍的单元早期耦合到普遍的单元D和E。。带普遍的单元D和E (现已安排) 为待命命令元D与E)分开耦合到高链路电路D和低链路电路E,使无效漂。 无论如何,带普遍的单元D和E能够与有关的的接合点电路间隔较远,这将原因 路由过剩 congestion )。

设法做到使满意
本设法做到开价电路布局方法及具有复合衔接单元(结成) tie 细胞)的布 局电路,以处理目前的技术中路由过剩 群众)技术成绩。
争辩本设法做到的举行例,开价电路布局方法,计入布局区域的设置。 设置多个普遍的单元,并对是你这么说的嘛!普遍的单元举行金属线缝合术(routing);在布局区域增方法用 (spare)单元,用于在添加或更改func时道路立体枢纽是你这么说的嘛!普遍的单元经过;排列衣物 向土著的区域添加复合衔接单元,开价给更新普遍的电池的压力,用于瘤。
争辩本设法做到的另一任一某一举行例,开价一种布局电路,计入多个普遍的单元, 设置布局区域;待命命令元,设置布局区域,用于代表是你这么说的嘛!普遍的电池。 中经过;结成衔接单元,设置布局区域,用于使连续到道路立体枢纽的用放射性元素使示踪 准单位压力。
本设法做到的电路布局方法及布局电路与目前的技术相比较,其惠及发生包孕 经过在死亡的布向土著的区域添加复合衔接单元,特别与待命命令元对应的普遍的单 元四周”i殳置至多一任一某一复合衔接单元,去,使无效了金属线缝合术的过剩。。

图1显示了int布局区域的一比例的示意图。
图2显示在收执工程更改命令在前方,集成电路布局区域的一比例的示意图。
图3显示在收执到工程变令后,集成电路布局区域的一比例的示意图。
图4显示根据本设法做到举行例的集成电路布局区域的一比例的示意图。
图5显示了结成衔接器的一任一某一举行例的示意图。
图6显示本设法做到复合衔接单元另一举行例的示意图。
图7显示了争辩一任一某一举行例的电路布局方法的流程图。图8是结成电路的高衔接电路的示意图。。 图9是结成式衔接器的低使连续电路的示意图。。 图IO为本设法做到复合衔接单元的电容电路的示意图。
细情举行例
在本说明书中运用了些许术语,而且情况中提到了指定的的,这一担任外场员 工匠得可以了解,五金器具厂商可以运用变化多的的术语来引用的比得上的部件,本 普遍的和向右资格不区别确定变化多的的元素,是在流行中的部件的效能的。 不同作为区别的普遍的,全文清晰度方法和债权中提到的计入 它是一种吐艳的假释期。,去,它得被解说为包孕但不限于,另外,”耦合” 忽视在嗨。 计入无论哪些导演或间接得来的的电衔接方法,去,设想头等方法耦合到瞬间方法,则如次所述 合身,这残忍的头等方法可以导演电衔接到,或许经过其他的方法或衔接 与瞬间方法间接得来的电衔接的方法。
以下是用于应验本设法做到的举行例,只用于解说基本原则,它不用于限度局限本设法做到。。 本设法做到的眼界该当因。上面将观察附图中所示的应验。 在细情清晰度方法示例后来地,在附近技术担任外场员的工匠来说,本设法做到将是不言而喻的。。
图4显示根据本设法做到举行例的集成电路的布局区域400的比例示意图。首 先,在布局区域400上设置和路由普遍的单元,添加备用列表 元。图4中所示的布局区域400的比例区域上显示了普遍的单位F、 G、 H、 我和预备 运用单位F,、 G,、 H,、 I,。普遍的单位F、 G、 H、 谈话结果是的普遍的单位,用于实现一号 已研制死亡的些许细情效能。增设的待命命令元F,、 G,、 H,、 I,可以一号研制 随后,争辩工程更改命令(工程) Change Order, 自然环境)来高处更多效能,或改 常变化的设计电路。像,我道路立体枢纽,待命命令元F,、 G,、 H,、 I,可以一号研制后代表原始普遍的 单位F、 G、 H、 I。在布局区域400中高处转乘高电路和低衔接 (tie-low)电路的复合衔接单元(结成) tie 细胞) CTFC,如使其缠绕于待命命令 元F,、 G,、 H,、 I,与普遍的单位F、 G、 H、 I。高衔接电路(图4中未显示) 将头等电源压力(像Vdd)衔接到道路立体枢纽的普遍的u,开价粗暴地比得上或不足 头等电源压力的头等衔接压力(像,高衔接v)。低使连续电路(图4中未显示) 用于将瞬间电源压力(像Vss)衔接到副电源的普遍的单元,开价粗暴地比得上或高于 瞬间电源压力的瞬间衔接压力(像,低衔接)。就是说,合并衔接单元 开价更新普遍的电池所需的高或低衔接压力。而且,争辩另一举行例,合并衔接单元可的比较级计入电容电3各(capacitance 电路),用于 保持不变压力稳固。
合并衔接单元设停车场紧接于待命命令元F、 G,、 H,、 I,普遍的驻扎军队或近似额普遍的 单位F、 G、 H、 I的驻扎军队,或许与待命命令元及普遍的单元均紧接于的驻扎军队,用于使无效 线路过剩。就是说,合并衔接单元与待命命令元或普遍的单元当中的间隔 速度系数。本例中,一号研制后普遍的单位F、 G、 H、 I可由有关的的待命命令元F,、 G,、 H,、 I,所代表,结果合并衔接单元设停车场紧接于普遍的单位F、 G、 H、 I
401。请睬,普遍的单元、合并衔接单元因此普遍的填满单元401均耦合于 Vdd和Vss当中的电源压力。
举例来说,若普遍的单位F与G被待命命令元F,与G,所代表,更替普遍的 单位F与G可接合点至其近乎的合并衔接单元。鉴于合并衔接单元 包孕高链路和低链路电路,去,可以选择漂亮的的压力(像,高电压或坑)。 压力)衔接到被带的普遍的单元。些许经济情况下,环绕更替普遍的单元的能够细分 况且其他的单元(像其他的普遍的单元),就是说,不经过无论哪些元素的结成导演衔接
被CTFC困扰,也不许的导演近乎于无论哪些合并衔接单元。无论如何,更替用放射性元素使示踪 准单元仍可接合点至与其最紧接于的合并衔接单元。就是说,复合衔接单元 CTFC应设置布局区域近似额更替用放射性元素使示踪准单元的驻扎军队,以接合点开价至被代表 的普遍的单元的漂亮的压力。去,更替用放射性元素使示踪准单元可倾向于地接合点到至多一任一某一 复合衔接单元。
在另一方面,合并衔接单元可”^殳停车场紧接于待命命令元(如待命命令元F,) 的驻扎军队。经过此配给,若待命命令元F,代表了普遍的单位F,更替用放射性元素使示踪准单位F 至多可找到一任一某一紧接于待命命令元F,的合并衔接单元,流行所需压力,而 与图2所示的目前的技术变化多的,不料运用高链路或低链路电路。。
因普遍的住在牢房或小室中、待命命令元设置得很紧接于合并衔接单元,或布局区域 400上可尽能够地增设合并衔接单元,照着使得普遍的单元与复合衔接单元 当中的金属线缝合术发生简略,去加重了路由过剩congestion)的情况。
本设法做到举行例的待命命令元可为或门、与门、多剧场影剧院器、起动装置(flipflop) 或变极器,用于放开工程更改命令,但不只限于此。
图5显示根据本设法做到举行例的合并衔接单元1的示意图。结成使连续列表 元CTFC1计入高接合点电路501与低衔接电路502。合并衔接单元1可用于图4所示举行例中。请教图4。,在布局区域400上增设合并衔接单元1, 并使其缠绕待命命令元F,、 G,、 H,、 I,与普遍的单位F、 G、 H、 I。待命命令元F,、 G,、 H,、 I,与普遍的单位F、 G、 H、 I的压力可经过合并衔接单元1的高接合点电 路501拉高,或许下拉经过其低链路电路502。
图6显示本设法做到合并衔接单元2的示意图。合并衔接单元2包 高衔接电路601、低衔接电路602因此用于独占的事物压力稳固的电容电路603。组 合接合点单元CTFC2可应用于图4所示的举行例。请教图4。,在布局区域400 上增设合并衔接单元2,并使其缠绕待命命令元F,、 G,、 H,、 I,与普遍的单位F、 G、 H、 I。待命命令元F,、 G,、 H,、 I,与普遍的单位F、 G、 H、 I的压力可以结成。 接合点单元CTFC2的高接合点电路601拉高,或经过其低衔接电路602拉低。
图7显示了争辩一任一某一举行例的电路布局方法的流程图。率先,使臻于完善布局区域 域中普遍的单元的设置和金属线缝合术(_710)。其次,在布局区域增设待命命令元, 为了在高处或变老生趣的时期表换些许普遍的单元。第三,在布局区域 增设复合衔接单元,以接合点开价至祐:代表的普遍的单位压力(开动S730)。纷纷, 将普遍的填满单元添加到布局区域的等等的人或物比例(图740)。论普遍的单位、待命命令 元结成衔接单元的配给与采取军事行动规律上文已有清晰度方法,为了像是用腰带围绕的起见,不再在嗨 赘述。
图8是结成电路的高衔接电路的示意图。。高接合点电路800计入P 沟道金属炽烈的半导体(PMOS) 晶体管801和N沟道金属炽烈的半导体(NMOS) ) 晶体管802。 PMOS晶体管801计入源、四卷柱子和放出管,它的电源与供电贯。 压力Vdd,其栅极耦合到NMOS晶体管802的栅极。,其放出管用于开价头等衔接电力。 压至有关的的待命命令元或普遍的单元。NMOS晶体管802计入源、门排水, 其栅极耦合于其漏极与PMOS晶体管801的栅极,它的电源与供电贯。压Vss。 电源压力Vss可以是负压力或接地压力。。
图9是结成式衔接器的低使连续电路的示意图。。低衔接电路900计入 PMOS晶体管901与NMOS晶体管902。 PMOS晶体管901计入源、网格到 及漏极,它的电源与供电贯。压力Vdd,它的放出管与闸贯。。NMOS晶体管902 包孕出于、门排水,其漏极用于开价瞬间接合点压力至有关的的待命命令元或 普遍的单元,其栅极耦合到PMOS晶体管901的栅极。,它的电源与供电贯。压Vss。 电源压力Vss可以是负压力或接地压力。。
图10为本设法做到复合衔接单元的电容电^各的示意图。电容电路1000耦合于Vdd和Vss当中的电源压力,采用电源压力Vss可以是负压力或接地压力。。请睬, 冷凝器电路1000可以是冷凝器、连续地或并列地的多个冷凝器或相当的电路,设想是人低谷 衔接电路900、高接合点电路800或二者并列地表格的相当的电容。
本设法做到的举行例在死亡的布局区域上尽能够地增设复合衔接单元,特别 与待命命令元对应的普遍的单元四周设置至多一任一某一复合衔接单元,这使无效了金属线缝合术。 过剩。
技术上轻易做到的相当的变老或修饰 张氏眼界,本设法做到向右的眼界该当经受住眼界清晰度。。
向右资格
1。一种电路布局方法,计入布局区域的设置。设置多个普遍的单元,和普遍的单元的金属线缝合术;在该布局区域上增设待命命令元,该待命命令元用于在高处或更改效能时期表该多个普遍的单元采用经过;因此在该布向土著的区域添加复合衔接单元,为了廉结开价至该更替用放射性元素使示踪准单位压力。
2. 图1中清晰度方法的电路布局方法,其特点相信,在 复合衔接单元内的高接合点电路,为了廉结头等供应压力与该更替用放射性元素使示踪准单元; 因此开价位置该复合衔接单元内的低衔接电路,用于将瞬间电源压力衔接到增加对方痛苦的安慰者上。 更替普遍的单位。
3. 图1中清晰度方法的电路布局方法,其特点相信,在 复合衔接单元内的高接合点电路,为了廉结头等供应压力与该更替用放射性元素使示踪准单元; 开价位置该复合衔接单元内的低衔接电路,用于将瞬间电源压力衔接到增加对方痛苦的安慰者上。代表 的普遍的单元;因此开价位置该复合衔接单元内的电容电路,用于独占的事物压力稳固 性。
4. 图1中清晰度方法的电路布局方法,其特点相信,将该复合衔接单元设 停车场紧接于该更替用放射性元素使示踪准单元的驻扎军队。
5. 图1中清晰度方法的电路布局方法,其特点相信,将该复合衔接单元设 停车场紧接于该待命命令元的驻扎军队。
6. 图1中清晰度方法的电路布局方法,其特点相信,添加或更改效能 前,开价至该待命命令元的压力是经过该复合衔接单元举行初始接合点。
7. 图1中清晰度方法的电路布局方法,其特点相信,该待命命令元为或门、 与门、多剧场影剧院器、起动装置或反向器,用于放开工程更改命令。
8. —种布局电路,计入有 多个普遍的单元,设置布局区域;待命命令元,设置布局区域,该待命命令元用于代表该多个普遍的单元其 中经过;结成衔接单元,设置布局区域,为了廉结开价至该更替用放射性元素使示踪准单位压力。
9. 如向右资格8所述的布局电路,其特点相信,该复合衔接单元计入高连 结电路,为了廉结头等供应压力与该更替用放射性元素使示踪准单元,因此低链路电路,用 于接合点瞬间供应压力与该更替用放射性元素使示踪准单元。
10. 如向右资格9所述的布局电路,其特点相信,采用 高链路电路包孕头等电路。 P沟道金属炽烈的半导体晶体管,箱门、与头等供应相耦合 用于开价头等衔接的压力源和漏极。;头等 N沟道金属炽烈的半导体晶体管,内置放出管、网格到及源极,其 中该头等 N沟道金属炽烈的半导体晶体管栅极耦合到 P沟道金属炽烈的 半导体晶体管栅极,头等N沟道金属炽烈的半导体晶体管的源极是co 瞬间电源压力;因此 低链路电路包孕瞬间电路。 P沟道金属炽烈的半导体晶体管,箱门、走漏和耦合 电源压力源;因此瞬间N沟道金属炽烈的半导体晶体管,内置放出管,用于开价瞬间接合点 压力;栅极,耦合于该瞬间 P沟道金属炽烈的半导体晶体管栅极与该瞬间 P 沟道金属炽烈的半导体晶体管的漏极;因此源极,耦合于瞬间电源压力。
11. 如向右资格8所述的布局电路,其特点相信,该复合衔接单元计入高连 结电路,为了廉结头等供应压力与该更替用放射性元素使示踪准单元;低衔接电路,为了廉 结瞬间供应压力与该更替用放射性元素使示踪准单元;电容电路,用于保持不变压力稳固。
12. 如向右资格8所述的布局电路,其特点相信,该复合衔接单元设停车场靠 近该更替用放射性元素使示踪准单元的驻扎军队。
13. 如向右资格8所述的布局电路,其特点相信,该复合衔接单元设停车场靠 近该待命命令元的驻扎军队。
14. 如向右资格8所述的布局电路,其特点相信,在该待命命令元代表该多个 普遍的单元采用经过在前方,开价至该待命命令元的压力是经过该复合衔接单元举行
15. 如向右资格8所述的布局电路,其特点相信,该待命命令元为或门、与门、 多剧场影剧院器、起动装置或反向器,用于放开工程更改命令。
全文摘要
本设法做到开价电路布局方法,计入布局区域的设置。设置多个普遍的单元,并对这些普遍的单元举行金属线缝合术;在布局区域增设待命命令元,用于在添加或更改func时道路立体枢纽是你这么说的嘛!普遍的单元经过;排列衣物向土著的区域添加复合衔接单元,用于使连续到道路立体枢纽的用放射性元素使示踪准单位压力。本设法做到的电路布局方法,经过在死亡的布向土著的区域添加复合衔接单元,特别与待命命令元对应的普遍的单元四周设置至多一任一某一复合衔接单元,去,使无效了金属线缝合术的过剩。。
文档编号H01L27/118GK101552269SQ20081021120
上级的日2009年10月7日 推荐日期2008年9月17日 先占日2008年4月1日
设法做到者林志青, 蔡同凯 推荐人:联发科技股份有限公司

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